榊間 大輝: 4H-SiCパワーデバイスの信頼性設計のための力学・電気特性解析手法の開発

論文提出者氏名: 榊間 大輝
論文題目: 4H-SiCパワーデバイスの信頼性設計のための力学・電気特性解析手法の開発
審査種別: 本審査
審査日時: 2020年1月28日 15時00分より
審査会場: 工学部2号館309号室
主査: 泉聡志教授
副査: 柳本潤教授,梅野宜崇准教授,波田野明日可講師,澁田靖准教授