楊 晶: Reaction Pathway Analysis for the Mobility of Partial Dislocation in 3C-SiC and Shuffle-set Perfect Dislocation in Silicon

論文提出者氏名: 楊晶
論文題目: Reaction Pathway Analysis for the Mobility of Partial Dislocation in 3C-SiC and Shuffle-set Perfect Dislocation in Silicon(3C-SiCの部分転位とシリコンのシャフルセット完全転位の移動度に関する反応経路解析)
審査種別: 本審査
審査日時: 2016年1月25日 15時00分より
審査会場: 工学部2号館310号室
主査: 泉教授
副査: 酒井教授、吉川教授、澁田准教授、原准教授
備考: 出席可能人員数 若干名