楊 晶: Reaction Pathway Analysis for the Mobilities of Partial Dislocation in 3C-SiC and Shuffle-set Perfect Dislocation in Silicon

論文提出者氏名: 楊 晶
論文題目: Reaction Pathway Analysis for the Mobilities of Partial Dislocation in 3C-SiC and Shuffle-set Perfect Dislocation in Silicon (3C-SiC中の部分転位とSi中のシャフルセット完全転位の移動度も反応経路解析)
審査種別: 予備審査
審査日時: 2015年10月26日 15時00分より
審査会場: 工学部2号館310号室
主査: 泉教授
副査: 酒井教授,吉川教授,澁田准教授,原准教授
備考: